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赛晶IGBT芯片、模块开始量产及接受订货


自2020年9月发布i20 IGBT芯片、ED-Type IGBT模块等产品以来,在过去的一年里,赛晶亚太半导体科技(浙江)有限企业(以下简称“赛晶半导体”)本着精益求精的科技工匠精神,进行了全面的产品测试和优化,以及生产线建设和试产。

今天,赛晶半导体非常高兴的宣布:1200V/250A i20 IGBT芯片及d20FRD芯片,1200V/750A及600A ED-Type IGBT模块等产品成功完成试产,已具备了批量供货能力,并正式开始接受客户订货。


打破“缺芯”困局,共建国产IGBT良性发展生态圈


IGBT,作为功率半导体的代表,被称为大国重器,对电动汽车、新能源电力等国家重点新兴产业发展和达成“双碳”目标,具有重要的战略意义。然而,中国虽然是全球最大的IGBT消费国,市场却长期为国外企业所主导。特别是芯片领域,国内自给率极低。在中美贸易多变的背景下,加快国产化进程,促进中国成为IGBT产业强国,是每一个业内中国企业的责任和使命。

赛晶半导体,希翼通过出色的国产芯片产品和对外销售芯片的举措,打破国内严重依赖进口芯片的“缺芯”困局,与广大业内企业共建国产IGBT良性发展生态圈,助力中国IGBT产业腾飞。


i20 IGBT芯片和d20 FRD芯片


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i20 IGBT和d20 FRD芯片,电压/电流为1200V/250A,各项性能达到或超过了国际领军企业的同类产品。

i20 IGBT芯片,采用FS-Trench结构,即正面精细沟槽+背面场截止,并通过N型增强、窄台面、短沟道、超薄基底、优化P+、3D结构等多项优化设计,从而带来了高达250A的卓越表现。

d20 FRD芯片,与i20 IGBT芯片一同研发,从而确保了FRD与IGBT的完美配合,以及芯片组的出色整体性能。此外,大家通过先进的发射极效率管理、优化的阳极扩散曲线和阴极缓冲区、优化的N-基底厚度与发射极和载流子寿命,以及特别设计的链接终端,实现了较低的FRD损耗,也降低了IGBT的通导损耗。

在国外企业技术领先并主导市场的IGBT芯片领域,赛晶半导体是少数全部采用自有芯片进行模块封装的国内企业,更是目前极少数公开对外销售自主技术IGBT芯片的国内企业。敢于直面市场的检验,这充分体现了赛晶半导体对产品卓越品质的高度自信。


ED-Type IGBT模块


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ED-Type模块,采用标准的“EconoDual”封装设计,使用赛晶半导体i20和d20芯片组,推出了1200V/750A和1200V600A两个型号产品。

ED-Type模块采用了“直线型”优化设计,大幅提升了均流表现,并在降低损耗的同时,提高了可靠性表现。

源于卓越的i20和d20芯片组、出色的优化设计和工艺水平、严格的原材料选用和供应链管理、首屈一指的智能自动化制造生产线,ED-Type模块与国外领域企业的同类产品对比中,表现出了更加优异的综合性能。



一往无前,赛晶半导体将再接再厉,加快开展1700V以及750V的精密沟槽和微沟槽IGBT芯片、碳化硅芯片,以及ED-Type、ST-Type和EV-Type等IGBT模块的产品研发和生产线建设,为广大客户奉献更多、更好的国产IGBT精品,助力中国“强芯梦”的早日实现。

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